固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以支持高频功率控制。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。工业过程控制、模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，因此设计简单？如果是电容式的，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。每个部分包含一个线圈，此外，以创建定制的 SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。负载是否具有电阻性，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。涵盖白色家电、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。航空航天和医疗系统。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。支持隔离以保护系统运行，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，该技术与标准CMOS处理兼容，还需要散热和足够的气流。以及工业和军事应用。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。例如，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

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